반도체식 고주파유도가열장치

고주파 유도가열장치는 전자산업과 반도체산업의 발전으로 소형화, 저전력화, 고신뢰성을 이룩하였다.
고주파발생장치는 초창기 MC방식에서 진공관방식으로 진공관에서 SCP방식으로 변화를 거듭하여 왔으나 반도체 소자의 신 개발을 통하여 반도체소자를 채용한 방식으로 눈부신 발전을 거듭하여 왔으나 반도체 소자의 신 개발을 통하여 반도체소자를 채용한 방식으로 눈부신 발전을 거듭하여 왔으나 최근까지도 저주파 중 주파영역에서는 진공관에 의존을 해왔다.
그러나 초고속의 스위칭소자인 MOS FET의 출현과 더불어 종래의 진공관방식으로만 가능했던 고주파영역은 물론 중주파 영역까지도 사용이 가능한 반도체방식의 고주파 유도 가열장치의 개발이 이루어졌다.
MOS FET를 사용한 인버터방식의 고주파발생장치는 과거의 진공관의 전력효율 55%~60%에 비해 90%~95%까지 효율을 높을수가 있으면 구동전원이 3,000~20,000[V]인 진공관방식 고주파발생장치에 비해 500[V]이하의 전압으로 구동이 되므로 고압설비가 필요없으며 안전사고를 방지함과 동시에 전력에너지를 절감하고 소형 경량화 이동의 간편함 예열의 불필요성 수명의 반영구적 뛰어난 정밀도 등의 장점을 가지게 되었다.
당사에서는 FET, SIT, IGBT를 채용한 고주파유도가열장치를 개발하여 공급을 하고있다.